PVD mediante Sputtering
Nella PVD assistita da “sputtering” (polverizzazione catodica) un campo elettrico accelera degli ioni argon sul target, che emette quindi ioni del materiale da depositare verso il substrato dove vengono neutralizzati. Introducendo un gas reattivo si possono formare composti (ad es.: Ti+0.5N2 -> TiN).
Pressoché ogni metallo o composto che non decompone chimicamente puo essere depositato per “sputtering” , rendendo tale processo molto flessibile.
I “target” possono essere cambiati durante il processo, consentendo la costruzione di multistrati nanostrutturati.
Il processo PVD Sputtering consente una produzione quasi illimitata di rivestimenti su qualsiasi tipo di superficie per creare nuovi materiali più resistenti, leggeri, puliti ed economici.
Costruisce un indistruttibile legame tra il film ed il substrato poiché li salda insieme a livello molecolare. Offre una grande versatilità rispetto ad altri rivestimenti perché, essendo un trasferimento a freddo, può essere usato per depositare materiali conduttivi o isolanti su ogni tipo di substrato, incluso metalli, ceramica e materiali plastici sensibili alle temperature. Inoltre il processo ha un controllo di deposizione ripetibile in automatico.
(cit. EAI - Energia, Ambiente e Innovazione 1-2/2015)
